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Dislocation propagation in GaN films formed by epitaxial lateral overgrowth
Sakai A; Sunakawa H; Kimura A; Usui A.
Afiliación
  • Sakai A; Department of Crystalline Materials Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Japan.
J Electron Microsc (Tokyo) ; 49(2): 323-30, 2000.
Article en En | MEDLINE | ID: mdl-11108055
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Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: J Electron Microsc (Tokyo) Año: 2000 Tipo del documento: Article País de afiliación: Japón Pais de publicación: Japón
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