1-D simulation of a novel nonvolatile resistive random access memory device.

Meyer, René; Kohlstedt, Hermann

Meyer, René; Kohlstedt, Hermann.

Afiliación

Meyer R; Institut für Festkörperforschung, the Center of Nanoelectronic Systems for Information Technology, Forschungszentrum Jülich, Germany. rmeyer2@stanford.edu

IEEE Trans Ultrason Ferroelectr Freq Control ; 53(12): 2340-8, 2006 Dec.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-17186916

Asunto(s)

Diseño Asistido por Computadora; Electroquímica/instrumentación; Almacenamiento y Recuperación de la Información/métodos; Nanotecnología/instrumentación; Semiconductores; Impedancia Eléctrica; Electroquímica/métodos; Campos Electromagnéticos; Diseño de Equipo; Análisis de Falla de Equipo; Ensayo de Materiales; Nanotecnología/métodos

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Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Asunto principal: Semiconductores / Almacenamiento y Recuperación de la Información / Diseño Asistido por Computadora / Nanotecnología / Electroquímica Tipo de estudio: Clinical_trials / Prognostic_studies Idioma: En Revista: IEEE Trans Ultrason Ferroelectr Freq Control Asunto de la revista: MEDICINA NUCLEAR Año: 2006 Tipo del documento: Article País de afiliación: Alemania Pais de publicación: Estados Unidos

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