Gold-thickness-dependent Schottky barrier height for charge transfer in metal-assisted chemical etching of silicon.
Nanoscale Res Lett
; 8(1): 193, 2013 Apr 26.
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| ID: mdl-23618313
Texto completo:
1
Colección:
01-internacional
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MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
Nanoscale Res Lett
Año:
2013
Tipo del documento:
Article
País de afiliación:
China