Gold-thickness-dependent Schottky barrier height for charge transfer in metal-assisted chemical etching of silicon. | Nanoscale Res Lett;8(1): 193, 2013 Apr 26. | MEDLINE

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Gold-thickness-dependent Schottky barrier height for charge transfer in metal-assisted chemical etching of silicon.

Zuo, Zewen; Cui, Guanglei; Shi, Yi; Liu, Yousong; Ji, Guangbin.

Afiliación

Zuo Z; College of Physics and Electronics Information, Anhui Normal University, Wuhu 241000, China. zuozewen@126.com.

Nanoscale Res Lett ; 8(1): 193, 2013 Apr 26.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-23618313

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanoscale Res Lett Año: 2013 Tipo del documento: Article País de afiliación: China

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