Sub-10 nm transparent all-around-gated ambipolar ionic field effect transistor. | Nanoscale;7(3): 936-46, 2015 Jan 21. | MEDLINE

Contenido principal 1 Búsqueda 2 Pie de página 3

+A A -A Alto contraste

Portal Regional de la BVS

Información y Conocimiento para la Salud

Localizar descriptor de asunto Búsqueda Avanzada EVID@Easy

Sub-10 nm transparent all-around-gated ambipolar ionic field effect transistor.

Lee, Seung-Hyun; Lee, Hyomin; Jin, Tianguang; Park, Sungmin; Yoon, Byung Jun; Sung, Gun Yong; Kim, Ki-Bum; Kim, Sung Jae.

Afiliación

Lee SH; Department of Materials Science and Engineering, Seoul National University, Korea. kibum@snu.ac.kr.

Nanoscale ; 7(3): 936-46, 2015 Jan 21.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-25363392

Añadir a Mi BVS

Buscar en Google

Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanoscale Año: 2015 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Reino Unido

Añadir a Mi BVS

Buscar en Google

Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanoscale Año: 2015 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Reino Unido