Few-layer black phosphorus field-effect transistors with reduced current fluctuation. | ACS Nano;8(11): 11753-62, 2014 Nov 25. | MEDLINE

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Few-layer black phosphorus field-effect transistors with reduced current fluctuation.

Na, Junhong; Lee, Young Tack; Lim, Jung Ah; Hwang, Do Kyung; Kim, Gyu-Tae; Choi, Won Kook; Song, Yong-Won.

Afiliación

Na J; Interface Control Research Center, Future Convergence Research Division, Korea Institute of Science and Technology , Seoul 136-791, South Korea .

ACS Nano ; 8(11): 11753-62, 2014 Nov 25.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-25369559

Palabras clave

Al2O3; black phosphorus; low-frequency noise; passivation; phosphorene

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Tipo de estudio: Prognostic_studies Idioma: En Revista: ACS Nano Año: 2014 Tipo del documento: Article País de afiliación: Corea del Sur

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