Few-layer black phosphorus field-effect transistors with reduced current fluctuation.
ACS Nano
; 8(11): 11753-62, 2014 Nov 25.
Article
en En
| MEDLINE
| ID: mdl-25369559
Texto completo:
1
Colección:
01-internacional
Base de datos:
MEDLINE
Tipo de estudio:
Prognostic_studies
Idioma:
En
Revista:
ACS Nano
Año:
2014
Tipo del documento:
Article
País de afiliación:
Corea del Sur