Impact of P/In flux ratio and epilayer thickness on faceting for nanoscale selective area growth of InP by molecular beam epitaxy. | Nanotechnology;26(29): 295301, 2015 Jul 24. | MEDLINE

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Impact of P/In flux ratio and epilayer thickness on faceting for nanoscale selective area growth of InP by molecular beam epitaxy.

Fahed, M; Desplanque, L; Coinon, C; Troadec, D; Wallart, X.

Afiliación

Fahed M; Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology, CNRS and University of Lille, Avenue Poincaré CS 60069, 59652 Villeneuve d'Ascq Cedex, France.

Nanotechnology ; 26(29): 295301, 2015 Jul 24.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-26134951

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Año: 2015 Tipo del documento: Article País de afiliación: Francia

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