Significant Carrier Extraction Enhancement at the Interface of an InN/p-GaN Heterojunction under Reverse Bias Voltage.
Nanomaterials (Basel)
; 8(12)2018 Dec 12.
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| ID: mdl-30545138
Texto completo:
1
Colección:
01-internacional
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MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
Nanomaterials (Basel)
Año:
2018
Tipo del documento:
Article
País de afiliación:
Japón