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Facile fabrication of ZnO nanowire memory device based on chemically-treated surface defects.
Park, Woojin; Kim, Tae Hyeon; Nam, Jae Hyeon; Jang, Hye Yeon; Pak, Yusin; Min, Jung-Wook; Yun, Joho; Cho, Byungjin.
Afiliación
  • Park W; Computer Electrical Mathematical Science and Engineering, King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal 23966-6900, Saudi Arabia.
Nanotechnology ; 30(15): 155201, 2019 Apr 12.
Article en En | MEDLINE | ID: mdl-30654335
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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Año: 2019 Tipo del documento: Article País de afiliación: Arabia Saudita Pais de publicación: Reino Unido
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