Proton Conducting Perhydropolysilazane-Derived Gate Dielectric for Solution-Processed Metal Oxide-Based Thin-Film Transistors.
ACS Appl Mater Interfaces
; 12(13): 15396-15405, 2020 Apr 01.
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| ID: mdl-32148019
Texto completo:
1
Colección:
01-internacional
Base de datos:
MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
ACS Appl Mater Interfaces
Asunto de la revista:
BIOTECNOLOGIA
/
ENGENHARIA BIOMEDICA
Año:
2020
Tipo del documento:
Article
Pais de publicación:
Estados Unidos