Identification of Point Defects in Atomically Thin Transition-Metal Dichalcogenide Semiconductors as Active Dopants. | Nano Lett;21(8): 3341-3354, 2021 Apr 28. | MEDLINE

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Identification of Point Defects in Atomically Thin Transition-Metal Dichalcogenide Semiconductors as Active Dopants.

Seo, Seung-Young; Yang, Dong-Hwan; Moon, Gunho; Okello, Odongo F N; Park, Min Yeong; Lee, Suk-Ho; Choi, Si-Young; Jo, Moon-Ho.

Nano Lett ; 21(8): 3341-3354, 2021 Apr 28.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-33825482

Palabras clave

2D semiconductors; 2D van der Waals materials; dopants; point defects; transition-metal dichalcogenides

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Tipo de estudio: Diagnostic_studies Idioma: En Revista: Nano Lett Año: 2021 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Estados Unidos

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