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Synthesis of High Sn Content Ge1-x-ySixSny (0.1 < y < 0.22) Semiconductors on Si for MWIR Direct Band Gap Applications.
Kouvetakis, John; Wallace, Patrick M; Xu, Chi; Ringwala, Dhruve A; Mircovich, Matthew; Roldan, Manuel A; Webster, Preston T; Grant, Perry C; Menéndez, José.
Afiliación
  • Kouvetakis J; School of Molecular Science, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287-1604, United States.
  • Wallace PM; School of Molecular Science, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287-1604, United States.
  • Xu C; Department of Physics, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287-1504, United States.
  • Ringwala DA; School of Molecular Science, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287-1604, United States.
  • Mircovich M; Department of Physics, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287-1504, United States.
  • Roldan MA; Eyring Materials Center Arizona State University, Tempe, Arizona 85287-1504, United States.
  • Webster PT; Air Force Research Laboratory, Space Vehicles Directorate, Kirtland AFB, New Mexico 87117, United States.
  • Grant PC; Air Force Research Laboratory, Space Vehicles Directorate, Kirtland AFB, New Mexico 87117, United States.
  • Menéndez J; Department of Physics, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287-1504, United States.
ACS Appl Mater Interfaces ; 15(41): 48382-48394, 2023 Oct 18.
Article en En | MEDLINE | ID: mdl-37801731
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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: ACS Appl Mater Interfaces Asunto de la revista: BIOTECNOLOGIA / ENGENHARIA BIOMEDICA Año: 2023 Tipo del documento: Article País de afiliación: Estados Unidos Pais de publicación: Estados Unidos
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