Falsas memórias: processos paralelos ou seriais? / False memories: parallel or serial processes? / Falsas memorias: ¿procesos paralelos o en serie?

RESUMO

Este trabalho teve como objetivo investigar processos paralelos e seriais nas falsas memórias (FM). Em um delineamento 3 x 3 x 3, foram manipulados os fatores carga de memória (3, 5 e 7 itens), tipo de item (alvo, distrator crítico e distrator não relacionado) e tempo de exposição dos itens (750, 1.500 e 3.000 milissegundos). O tempo de reação aumentou linearmente com o aumento da carga de memória, indicando que processos seriais atuam no processamento de alvos e de falsas memórias. Houve um aumento da percentagem de erros para alvos e distratores críticos com o aumento do tempo de exposição. Os dados foram discutidos em termos das teorias de memory scanning e de ativação/monitoramento.

ABSTRACT

This work aimed to investigate parallel and serial processes in false memories (FM). In a 3 x 3 x 3 design, the factors memory load (3, 5 and 7 items), type of item (target, critical distractor and unrelated distractor) and exposure time of the items (750, 1,500 and 3,000 milliseconds) were manipulated. The reaction time increased linearly with the increase in the memory load, indicating that serial processes act in the processing of targets and false memories. There was an increase in the percentage of errors for targets and critical distractors as the exposure time increased. The data were discussed in terms of the "memory scanning" activation/monitoring theories.

RESUMEN

Este trabajo tuvo como objetivo investigar procesos paralelos y seriales en memorias falsas (FM). En un diseño de 3 x 3 x 3, los factores carga de memoria (3, 5 y 7 ítens), tipo de item (presentado, distractor crítico y distractor no relacionado) y tiempo de exposición de los ítens (750, 1.500 y 3.000 milisegundos). El tiempo de reacción aumentó linealmente con el aumento de la carga de memoria, lo que indica que los procesos en serie actúan en el procesamiento de objetivos y recuerdos falsos. Hubo un aumento en el porcentaje de errores para ítens memorizados y distractores críticos a medida que aumentaba el tiempo de exposición. Los datos se discutieron en términos de las teorías del escaneo de memoria y la activación/monitoreo.