Electron relaxation times in high-carrier-density GaAs-(Ga,Al)As heterojunctions. | Phys Rev B Condens Matter;46(16): 10207-10214, 1992 Oct 15. | MEDLINE

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Electron relaxation times in high-carrier-density GaAs-(Ga,Al)As heterojunctions.

Kusters RM; Wittekamp FA; Singleton J; Perenboom JA; Jones GA; Ritchie DA; Frost JE; André J.

Phys Rev B Condens Matter ; 46(16): 10207-10214, 1992 Oct 15.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-10002863

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Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Phys Rev B Condens Matter Ano de publicação: 1992 Tipo de documento: Article

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