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Quantum-confined direct band transitions in tensile strained Ge/SiGe quantum wells on silicon substrates.
Chen, Yanghua; Li, Cheng; Lai, Hongkai; Chen, Songyan.
Afiliação
  • Chen Y; Department of Physics, Semiconductor Photonics Research Center, Xiamen University, Xiamen, Fujian, People's Republic of China.
Nanotechnology ; 21(11): 115207, 2010 Mar 19.
Article em En | MEDLINE | ID: mdl-20179329
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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Ano de publicação: 2010 Tipo de documento: Article País de publicação: Reino Unido
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