Electrical characteristics of core-shell p-n GaAs nanowire structures with Te as the n-dopant. | Nanotechnology;21(13): 134007, 2010 Apr 02. | MEDLINE

Conteúdo principal 1 Busca 2 Rodapé 3

+A A -A Alto contraste

Portal Regional da BVS

Informação e Conhecimento para a Saúde

Localizar descritor de assunto Busca Avançada EVID@Easy

Electrical characteristics of core-shell p-n GaAs nanowire structures with Te as the n-dopant.

Caram, J; Sandoval, C; Tirado, M; Comedi, D; Czaban, J; Thompson, D A; LaPierre, R R.

Afiliação

Caram J; Laboratorio de Física del Sólido, Departamento de Física, FACET, Universidad Nacional de Tucumán, Tucumán, Argentina.

Nanotechnology ; 21(13): 134007, 2010 Apr 02.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-20208111

Adicionar na Minha BVS

Buscar no Google

Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Ano de publicação: 2010 Tipo de documento: Article País de afiliação: Argentina País de publicação: Reino Unido

Adicionar na Minha BVS

Buscar no Google

Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Ano de publicação: 2010 Tipo de documento: Article País de afiliação: Argentina País de publicação: Reino Unido