The oxides growth during high-temperature oxidation of Si1-xGe(x) nanowires.
J Nanosci Nanotechnol
; 12(7): 6096-9, 2012 Jul.
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em En
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| ID: mdl-22966715
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Idioma:
En
Revista:
J Nanosci Nanotechnol
Ano de publicação:
2012
Tipo de documento:
Article
País de publicação:
Estados Unidos