In-situ P doped epitaxial Si(1-x)C(x) growth under UHV-CVD.
J Nanosci Nanotechnol
; 14(10): 7641-7, 2014 Oct.
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em En
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| ID: mdl-25942841
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MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
J Nanosci Nanotechnol
Ano de publicação:
2014
Tipo de documento:
Article
País de publicação:
Estados Unidos