Pattern formation in semiconductors.

Bel'kov, V V; Hirschinger, J; Novák, V; Niedernostheide, F-J; Ganichev, S D; Prettl, W

Bel'kov, V V; Hirschinger, J; Novák, V; Niedernostheide, F-J; Ganichev, S D; Prettl, W.

Afiliação

Bel'kov VV; Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg, 93040 Regensburg, Germany.
Hirschinger J; Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg, 93040 Regensburg, Germany.
Novák V; Institute of Electrical Engineering, AV CR, 182 02 Prague 8, Czech Republice-mail: wilhelm.prettl@physik.uni-regensburg.de.
Niedernostheide FJ; Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg, 93040 Regensburg, Germany.
Ganichev SD; Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg, 93040 Regensburg, Germany.
Prettl W; Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg, 93040 Regensburg, Germany.

Nature ; 397(6718): 398, 1999 Feb 04.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-29667986

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Nature Ano de publicação: 1999 Tipo de documento: Article País de afiliação: Alemanha País de publicação: Reino Unido

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