Evidence from electrical transport and photoluminescence spectroscopy of a band of localized deep donors in high-purity n-type InP grown by chemical-beam epitaxy.
Phys Rev B Condens Matter
; 50(23): 16964-16972, 1994 Dec 15.
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em En
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| ID: mdl-9976092
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Idioma:
En
Revista:
Phys Rev B Condens Matter
Ano de publicação:
1994
Tipo de documento:
Article