Theoretical studies of Si vapor-phase epitaxial growth by Iab initioP molecular-orbital calculations.
Phys Rev B Condens Matter
; 41(18): 12720-12727, 1990 Jun 15.
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em En
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| ID: mdl-9993748
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Idioma:
En
Revista:
Phys Rev B Condens Matter
Ano de publicação:
1990
Tipo de documento:
Article
País de publicação:
Estados Unidos